GLOBALFOUNDRIES与ARM日前于2010 MWC中，发布针对新一代无线产品及运用开发的顶级体系单。全新的芯片出产制作渠道预估将提高40%运算效能、减低30%功耗，并在待机状态下添加100%的电池运用寿数。
此全新渠道包含两种不同的GLOBALFOUNDRIES工艺整合：移动及消费性运用适用的28纳米超低功耗(SLP)工艺，及针对需求最高效能的运用开发的28纳米高效能(HP)工艺。
由于智能型移动产品商场加快生长，业界对移动运用产品效能的需求不断提高，以继续影响商场立异。相较于前一代40/45纳米技能，GLOBALFOUNDRIES选用闸极优先高介电质金属闸极(gate-first HKMG)技能的28纳米工艺可达更明显的效能提高。
现在预估选用HKMG的28纳米技能在相同热度规模将提高40%的效能，以强化移动设备的运用效能及多任务处理才能。GLOBALFOUNDRIES现在可将此一技能敏捷推出上市，供给客户受广泛选用的闸极优先HKMG技能。闸极优先技能取得多家全球大规模IDM厂及无晶圆厂规划公司的广泛支撑。
各项新技能都需求提高功耗体现，以供给长期通话/待机、多媒体播映及交互式游戏与绘图等功用。ARM IP与GLOBALFOUNDRIES 28纳米HKMG工艺的结合，将可供给较40/45纳米下降30%功耗的效能，并提高100%待机电池寿数。
ARM总裁Tudor Brown表明：“改采28纳米技能对无线技能而言是一重要转折点。ARM与GLOBALFOUNDRIES的协作将可供给客户很多实作的28纳米HKMG技能，以敏捷推出高效能、低功耗的ARM架构规划产品。GLOBALFOUNDRIES技能、ARM抢先业界的实体IP解决计划与ARM处理器供给之完好因特网功用的整合，将可展现强壮的处理、绘图及功耗整合效果。”
除了与GLOBALFOUNDRIES协作外，ARM也与IBM Joint Development Alliance的其它成员树立战略协作关系，以开发选用HKMG工艺的最佳化处理器及实体IP。ARM于MWC展出选用HKMG技能开发的首款28纳米晶圆，以展现与晶圆厂协作伙伴进行前期协作，加快改采新一代SoC节点规划的优势。
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